اختر بلدك أو منطقتك.

الصفحة الرئيسية
منتجات
الدوائر المتكاملة (إكس)
ذاكرة
W97BH6KBVX2E

W97BH6KBVX2E

W97BH6KBVX2E Image
قد تكون الصورة تمثيل.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
رقم القطعة:
W97BH6KBVX2E
المصنع / العلامة التجارية:
Winbond Electronics Corporation
وصف المنتج:
IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
جداول البيانات:
W97BH6KBVX2E.pdf
حالة RoHs:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
حالة المخزون:
13379 pcs stock
شحن من:
Hong Kong
طريقة الشحن:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
تنزيل تفاصيل المنتج بتنسيق PDF

طلب اقتباس

يرجى استكمال جميع الحقول المطلوبة مع معلومات الاتصال الخاصة بك. انقر فوق "SUBMIT RFQ"
وسنتصل بك قريبًا عبر البريد الإلكتروني. أو راسلنا عبر البريد الإلكتروني: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 13379 pcs السعر المرجعي (بالدولار الأمريكي)

  • 168 pcs
    $2.902
السعر المستهدف(USD):
الكمية:
يرجى تزويدنا بالسعر المستهدف إذا كانت الكميات أكبر من تلك المعروضة.
مجموع: $0.00
W97BH6KBVX2E
اسم الشركة
اسم جهة الاتصال
البريد الإلكتروني
رسالة
W97BH6KBVX2E Image

مواصفات W97BH6KBVX2E

Winbond Electronics CorporationWinbond Electronics Corporation
(انقر فوق الفراغ للإغلاق تلقائيًا)
رقم القطعة W97BH6KBVX2E الصانع Winbond Electronics Corporation
وصف IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية متاحة 13379 pcs stock ورقة البيانات W97BH6KBVX2E.pdf
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة 15ns الجهد - توريد 1.14 V ~ 1.95 V
تكنولوجيا SDRAM - Mobile LPDDR2 تجار الأجهزة حزمة 134-VFBGA (10x11.5)
سلسلة - التعبئة والتغليف Tray
حزمة / كيس 134-VFBGA درجة حرارة التشغيل -25°C ~ 85°C (TC)
تصاعد نوع Surface Mount مستوى الحساسية للرطوبة (MSL) 3 (168 Hours)
نوع الذاكرة Volatile حجم الذاكرة 2Gb (128M x 16)
واجهة الذاكرة Parallel تنسيق الذاكرة DRAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات Lead free / RoHS Compliant وصف تفصيلي SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 400MHz 134-VFBGA (10x11.5)
تردد على مدار الساعة 400MHz  
اغلق

منتجات ذات صله

العلامات ذات الصلة

معلومات ساخنة